计算机有望用上高速磁内存

自IBM于1956年推出首个磁盘存储器以来，磁存储器因其稳定可靠、寿命长久以及成本效益高的优势，一直被作为信息存储的主要手段，特别是在计算机的硬盘领域。传统的磁存储器通过线圈产生的磁场变化来调控存储介质的磁性，从而实现信息的存储。这种方法的速度却难以跟上现代计算机处理器的发展步伐，无法满足对速度要求极高的内存需求。

瑞士苏黎世联邦理工大学材料系教授彼得罗·甘巴尔代拉领导的团队，在的研究中，利用一种被称为“自旋轨道转矩”的物理现象，打破了传统磁存储的局限。他们发现，通过特殊的半导体薄膜材料，不需要线圈，就能够调控存储介质的磁性，实现磁存储。

该团队通过新方法对直径约500纳米的钴金属点进行了实验，发现当给其附近的导线通电后，在不到1纳秒的时间内，钴金属点的磁性就发生了显著的变化。更令人惊讶的是，这个钴金属点能够承受上万亿次的磁性变化，显示出其作为高速且耐用存储介质的巨大潜力。

与传统通过线圈产生磁场的存储方法相比，新方法不仅速度更快，而且避免了因线圈电阻而消耗的能量，能效更高。这一突破性的技术，有望让计算机内存用上磁存储器，从而改变计算机行业的现状。

目前，大多数计算机的内存采用的是闪存等易失性存储器，一旦断德国网后内存中的信息就会被清空，因此重新开机时需要加载数据的时间较长。而磁存储能够在断德国网后仍然保留数据。如果计算机能够使用上磁内存，那么开机启动的时间将会大大缩短，用户的等待时间也将大大减少。这不仅将提升用户的使用体验，也将为计算机技术的发展开启新的篇章。